STPSC20G12 Silicon Carbide Power Schottky Diodes

STMicroelectronics STPSC20G12 Silicon Carbide Power Schottky Diodes are available in a DO-247 package with long leads. The STMicroelectronics STPSC20G12 is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band-gap material allows the design of a low VF Schottky diode structure with a 1200V rating. Thanks to the Schottky construction, no recovery is shown during turn-off, and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature.

Resultaten: 3
Selecteren Afbeelding Onderdeelnummer
 Fabrikant
Omschrijving Gegevensblad Beschikbaarheid Prijsbepaling (EUR) De resultaten in de tabel met eenheidsprijs filteren op basis van uw hoeveelheid.
Hvh. RoHS ECAD-model Montagetype
Verpakking / doos
Configuratie
If - Voorwaartse stroom
Vrrm - Periodieke sperspanning
Vf - Voorwaartse spanning
Ifsm - Voorwaartse piekstroom
Ir - Keerstroom
Minimale bedrijfstemperatuur
Maximale bedrijfstemperatuur
Kwalificatie
Verpakken
STMicroelectronics SiC Schottkydiodes Automotive 1200 V, 20A power Schottky High Surge silicon carbide diode
Gegevensblad
114In voorraad
600Verwacht 16-3-2026
MouseReel beschikbaar
Min.: 1
Veelv.: 1
Spoel: 600

SMD/SMT HU3PAK-9 Single 20 A 1.2 kV 1.35 V 1.1 kA 10 uA - 55 C + 175 C AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics SiC Schottkydiodes 1200 V, 20 A High surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
Gegevensblad
878In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

Through Hole DO-247-2 Single 20 A 1.2 kV 1.35 V 180 A 10 uA - 55 C + 175 C Tube
STMicroelectronics SiC Schottkydiodes Automotive 1200 V, 20A power Schottky High Surge silicon carbide diode
Gegevensblad
49In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

Through Hole DO-247-2 Single 20 A 1.2 kV 1.35 V 180 A 10 uA - 55 C + 175 C AEC-Q101 Tube