AFGHxL25T Single N-Channel 1200V 25A IGBTs

onsemi AFGHxL25T Single N-Channel 1200V 25A Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) feature a robust and cost-effective Field Stop VII Trench construction. The onsemi AFGHxL25T provides superior performance in demanding switching applications. Low on-state voltage and minimal switching loss offer optimum hard and soft switching topology performance in automotive applications.

Resultaten: 4
Selecteren Afbeelding Onderdeelnummer
 Fabrikant
Omschrijving Gegevensblad Beschikbaarheid Prijsbepaling (EUR) De resultaten in de tabel met eenheidsprijs filteren op basis van uw hoeveelheid.
Hvh. RoHS ECAD-model Technologie
Verpakking / doos
Montagetype
Configuratie
Collector-emitterspanning VCEO max.
Collector-emitterverzadigingsspanning
Maximale gate-emitterspanning
Doorlopende voedingsverzamelaar op 25°
Pd - Vermogensverlies
Minimale bedrijfstemperatuur
Maximale bedrijfstemperatuur
Reeks
Verpakken
onsemi IGBT's FS7 1200V 25A SCR IGBT STAND-ALONE TO247 4L
Gegevensblad
444In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 1.2 kV 1.37 V 20 V 50 A 416 W - 55 C + 175 C AFGH4L25T120RW Tube
onsemi IGBT's FS7 1200V 25A SCR IGBT TO247 4L
Gegevensblad
445In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 1.2 kV 1.37 V 20 V 50 A 416 W - 55 C + 175 C AFGH4L25T120RWD Tube
onsemi IGBT's FS7 1200V 25A SCR IGBT STAND-ALONE TO247 3L
Gegevensblad
418In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.38 V 20 V 50 A 468 W - 55 C + 175 C AFGHL25T120RW Tube
onsemi IGBT's FS7 1200V 25A SCR IGBT TO247 3L
Gegevensblad
278In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.38 V 20 V 50 A 468 W - 55 C + 175 C AFGHL25T120RWD Tube