Resultaten: 7
Selecteren Afbeelding Onderdeelnummer Fabrikant Omschrijving Gegevensblad Beschikbaarheid Prijsbepaling (EUR) De resultaten in de tabel met eenheidsprijs filteren op basis van uw hoeveelheid. Hvh. RoHS ECAD-model Technologie Verpakking / doos Montagetype Configuratie Collector-emitterspanning VCEO max. Collector-emitterverzadigingsspanning Maximale gate-emitterspanning Doorlopende voedingsverzamelaar op 25° Pd - Vermogensverlies Minimale bedrijfstemperatuur Maximale bedrijfstemperatuur Reeks Verpakken

onsemi IGBT's 1200V, 40A Trench Field Stop VII (FS7) Discrete IGBT 476In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 20 V 80 A 600 W - 55 C + 175 C FGHL40T120RWD Tube

onsemi IGBT's 1200V, 60A Trench Field Stop VII (FS7) Discrete IGBT 367In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 20 V 120 A 833 W - 55 C + 175 C FGHL60T120RWD Tube
onsemi IGBT's 1200V, 40A Field Stop VII (FS7) Discrete IGBT Fast Switching 465In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.68 V 30 V 70 A 469 W - 55 C + 175 C FGHL40T120SWD Tube

onsemi IGBT's FS4 LOW VCESAT IGBT 650V 392In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.15 V 20 V 60 A 273 W - 55 C + 175 C FGHL40T65LQDT Tube

onsemi IGBT's 650V FS4 Trench IGBT 188In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 100 A 268 W - 55 C + 175 C FGH50T65SQD Tube

onsemi IGBT's 650V/35A FAST IGBT FSII T 36In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.7 V - 20 V, 20 V 70 A 300 W - 55 C + 175 C NGTB35N65FL2 Tube

onsemi IGBT's FS4 LOW VCESAT IGBT 650V
450Verwacht 19-6-2026
Min.: 1
Veelv.: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.15 V 20 V 80 A 341 W - 55 C + 175 C FGHL50T65LQDTL4 Tube