Het lijkt erop dat JavaScript in uw browser is uitgeschakeld. Tenzij u zich aanmeldt, zullen sommige functies op deze pagina niet werken.

Ziet u een fout?

SIHF080N60E-GE3

Name: Vishay SIHF080N60E-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SIHF080N60E-GE3
Price: 4.52 EUR
Availability: InStock

Afbeelding zijn alleen ter referentie
Zie productspecificaties

Mouser-nr.

78-SIHF080N60E-GE3

Fabrikantnr:

SIHF080N60E-GE3

Fabrikant:

Vishay / Siliconix

Omschrijving:

MOSFET's TO220 600V 14A E SERIES

Gegevensblad:

SIHF080N60E-GE3 Gegevensblad

ECAD-model:

Download de gratis bibliotheeklader om dit bestand voor uw ECAD-hulpmiddel om te zetten. Meer informatie over het ECAD-model.

Meer informatie

Meer informatie over Vishay / Siliconix SIHF080N60E-GE3

In voorraad: 3.456

Voorraad:: 3.456 Kan onmiddellijk worden verzonden

Er is een onverwachte fout opgetreden. Probeer het later nog eens.

Voer het aantal in:

Minimum: 1 Veelvouden: 1

Eenheidsprijs:

€ -,--

Ext. Prijs:

€ -,--

Est. Tarief:

Prijsbepaling (EUR)

Hvh.	Eenheidsprijs	Ext. Prijs
	€ 4,52	€ 4,52
	€ 2,37	€ 23,70
	€ 2,15	€ 215,00
	€ 1,86	€ 1.860,00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Productkenmerk	Kenmerkwaarde	Selecteer kenmerk
Fabrikant:	Vishay
Productcategorie:	MOSFET's
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montagetype:	Through Hole
Verpakking / doos:	TO-220FP-3
Polariteit transistor:	N-Channel
Aantal kanalen:	1 Channel
Vds - Doorslagspanning van druppelbron:	600 V
Id - Continue afvoerstroom:	14 A
Rds On - Druppelbronweerstand:	80 mOhms
Vgs - Poort-bronspanning:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Drempelspanning van ingangsbron:	5 V
Qg - Ingangsbelasting:	42 nC
Minimale bedrijfstemperatuur:	- 55 C
Maximale bedrijfstemperatuur:	+ 150 C
Pd - Vermogensverlies:	35 W
Kanaalmodus:	Enhancement
Verpakken:	Tube
Merk:	Vishay / Siliconix
Configuratie:	Single
Daaltijd:	31 ns
Voorwaartse transconductantie - min:	4.6 S
Producttype:	MOSFETs
Stijgtijd:	96 ns
Reeks:	SIHF E
Verpakkingshoeveelheid af fabriek:	1000
Subcategorie:	Transistors
Transistortype:	1 N-Channel
Typische uitschakelvertragingstijd:	37 ns
Typische inschakelvertragingstijd:	31 ns
Gewicht per stuk:	2 g

Gevonden producten:

Vink tenminste één selectievakje aan om vergelijkbare producten te tonen

Vink tenminste één selectievakje aan om vergelijkbare producten in deze categorie te tonen.

Geselecteerde attributen: 0

Filter document:

Gegevensblad

SIHF080N60E-GE3 Gegevensblad

Technical Resources

TO-220 FULLPAK (High Voltage)

Voor deze functionaliteit moet JavaScript zijn ingeschakeld.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

SiHF080N60E E Series Power MOSFETs

Vishay / Siliconix SiHF080N60E E Series Power MOSFETs feature 4th generation E series technology in a TO-220 FULLPAK package. The SiHF080N60E MOSFETs offer a low figure-of-merit (FOM) R_on x Q_g and a low effective capacitance (C_o(er)). The Vishay / Siliconix SiHF080N60E E Series Power MOSFETs have a 650V drain-source voltage 63nC total gate charge.