R60xxKNZ4 Power MOSFETs

ROHM Semiconductor R60xxKNZ4 Power MOSFETs are 600V, N-channel MOSFETs designed for switching applications. The R60xxKNZ4 provides low on-resistance and a fast switching speed. The ROHM R60xxKNZ4 Power MOSFETs are available in a TO-247 package that enables easy parallelling.

Resultaten: 3
Selecteren Afbeelding Onderdeelnummer
 Fabrikant
Omschrijving Gegevensblad Beschikbaarheid Prijsbepaling (EUR) De resultaten in de tabel met eenheidsprijs filteren op basis van uw hoeveelheid.
Hvh. RoHS ECAD-model Technologie
Montagetype
Verpakking / doos
Polariteit transistor
Aantal kanalen
Vds - Doorslagspanning van druppelbron
Id - Continue afvoerstroom
Rds On - Druppelbronweerstand
Vgs - Poort-bronspanning
Vgs th - Drempelspanning van ingangsbron
Qg - Ingangsbelasting
Minimale bedrijfstemperatuur
Maximale bedrijfstemperatuur
Pd - Vermogensverlies
Kanaalmodus
Verpakken
ROHM Semiconductor MOSFET's TO247 600V 30A N-CH MOSFET
Gegevensblad
1.700In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 130 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 56 nC - 55 C + 150 C 305 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET's TO247 600V 35A N-CH MOSFET
Gegevensblad
600In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 35 A 102 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 72 nC - 55 C + 150 C 379 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET's TO247 600V 24A N-CH MOSFET
Gegevensblad
1.162In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 24 A 165 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 45 nC - 55 C + 150 C 245 W Enhancement Tube