DTMOSIV-H MOSFETs

Toshiba DTMOSIV-H MOSFETs are suited to applications that require high reliability, power efficiency, and a compact design, such as high-efficiency switching power supplies for servers and telecom base stations and as power conditioners for photovoltaic inverters. Toshiba DTMOSIV-H MOSFETs achieve a high-speed switching performance while keeping the low ON-resistance level of conventional DTMOSIV and without loss of power. This is accomplished by reducing parasitic capacitance between gate and drain, which also contributes to improved power efficiency and downsizing of products.

Resultaten: 19
Selecteren Afbeelding Onderdeelnummer
 Fabrikant
Omschrijving Gegevensblad Beschikbaarheid Prijsbepaling (EUR) De resultaten in de tabel met eenheidsprijs filteren op basis van uw hoeveelheid.
Hvh. RoHS ECAD-model Technologie
Montagetype
Verpakking / doos
Polariteit transistor
Aantal kanalen
Vds - Doorslagspanning van druppelbron
Id - Continue afvoerstroom
Rds On - Druppelbronweerstand
Vgs - Poort-bronspanning
Vgs th - Drempelspanning van ingangsbron
Qg - Ingangsbelasting
Minimale bedrijfstemperatuur
Maximale bedrijfstemperatuur
Pd - Vermogensverlies
Kanaalmodus
Handelsnaam
Verpakken
Toshiba MOSFET's DTMOSIV-High Speed 600V 88mVGS=10V)
Gegevensblad
4.913In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1
Spoel: 2.500

Si SMD/SMT DFN8x8-5 N-Channel 1 Channel 600 V 30.8 A 78 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 65 nC - 55 C + 150 C 240 W Enhancement DTMOSIV-H Reel, Cut Tape

Toshiba MOSFET's DTMOSIV-H/S 600V 65mOhmmax(VGS=10V)
Gegevensblad
30In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 38.8 A 55 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 85 nC - 55 C + 150 C 270 W Enhancement DTMOSIV-H Tube
Toshiba MOSFET's N-ch MOSFET, 600 V, 0.024 Ohm10V, TO-247, DTMOS6
Gegevensblad
45In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 80 A 24 mOhms 30 V 4 V 140 nC + 150 C 506 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET's Power MOSFET N-Channel
Gegevensblad
665In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 120 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 60 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement DTMOSIV-H Tube
Toshiba MOSFET's Power MOSFET N-Channel
Gegevensblad
94In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 105 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 40 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement DTMOSIV-H Tube
Toshiba MOSFET's Power MOSFET N-Channel
Gegevensblad
84In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 120 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 60 nC - 55 C + 150 C 180 W Enhancement DTMOSIV-H Tube

Toshiba MOSFET's Power MOSFET N-Channel
Gegevensblad
39In voorraad
60Verwacht 20-2-2026
Min.: 1
Veelv.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 105 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 40 nC - 55 C + 150 C 180 W Enhancement DTMOSIV-H Tube
Toshiba MOSFET's DTMOSIV-High Speed 600V 88m (VGS=10V)
Gegevensblad
72In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30.8 A 73 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 65 nC - 55 C + 150 C 230 W Enhancement DTMOSIV-H Tube

Toshiba MOSFET's DTMOSIV-H/S 600V 88mOhmmax(VGS=10V)
Gegevensblad
34In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30.8 A 73 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 65 nC - 55 C + 150 C 230 W Enhancement DTMOSIV-H Tube
Toshiba MOSFET's TO-247-4L PD=230W 1MHz PWR MOSFET TRNS
Gegevensblad
46In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 600 V 30.8 A 88 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 65 nC - 55 C + 150 C 230 W Enhancement DTMOSIV-H Tube
Toshiba MOSFET's Power MOSFET N-Channel
Gegevensblad
98Verwacht 15-5-2026
Min.: 1
Veelv.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 105 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 40 nC - 55 C + 150 C 180 W Enhancement DTMOSIV-H Tube

Toshiba MOSFET's Power MOSFET N-Channel
Gegevensblad
60Verwacht 20-2-2026
Min.: 1
Veelv.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 120 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 60 nC - 55 C + 150 C 180 W Enhancement DTMOSIV-H Tube
Toshiba MOSFET's DTMOSIV-High Speed 600V 40mOhmmax
Gegevensblad
60Verwacht 20-2-2026
Min.: 1
Veelv.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 61.8 A 33 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 135 nC - 55 C + 150 C 400 W Enhancement DTMOSIV-H Tube
Toshiba MOSFET's TO-247-4L PD=400W 1MHz PWR MOSFET TRNS
Gegevensblad
5Verwacht 20-2-2026
Min.: 1
Veelv.: 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 600 V 61.8 A 40 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 135 nC - 55 C + 150 C 400 W Enhancement DTMOSIV-H Tube
Toshiba MOSFET's TO-220SIS PD=45W 1MHz PWR MOSFET TRNS
Gegevensblad
Niet in voorraad levertijd 32 weken
Min.: 1
Veelv.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 22 A 160 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 50 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement DTMOSIV-H Tube
Toshiba MOSFET's TO-220SIS PD=45W 1MHz PWR MOSFET TRNS
Gegevensblad
Niet in voorraad levertijd 32 weken
Min.: 1
Veelv.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 22 A 150 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 50 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement DTMOSIV-H Tube
Toshiba MOSFET's Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DFN 8?8 PD=180W F=1MHZ
Gegevensblad
Niet in voorraad levertijd 20 weken
Min.: 2.500
Veelv.: 2.500
Spoel: 2.500

Si SMD/SMT DFN8x8-5 N-Channel 1 Channel 650 V 22 A 170 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 50 nC - 55 C + 150 C 180 W Enhancement DTMOSIV-H Reel
Toshiba MOSFET's Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTMOS DFN8x8-OS PD=180W F=1MHZ
Gegevensblad
Niet in voorraad levertijd 20 weken
Min.: 2.500
Veelv.: 2.500
Spoel: 2.500

Si SMD/SMT DFN8x8-5 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 150 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 60 nC - 55 C + 150 C 180 W Enhancement DTMOSIV-H Reel
Toshiba MOSFET's 180W 1MHZ POWER MOSFET TRANSISTOR
Gegevensblad
Niet in voorraad levertijd 20 weken
Min.: 2.500
Veelv.: 2.500
Spoel: 2.500

Si SMD/SMT DFN8x8-5 DTMOSIV-H Reel