High-Speed IGBT4 Power Modules

Microchip Technology High-Speed IGBT4 Power Modules feature low voltage drop, low leakage current, and low switching losses. These modules operate at 1200V collector-emitter voltage (VCES) and provide very low stray inductance, Kelvin emitter/source for an easy drive, and extended temperature range. The benefits of IGBT4 modules are high-efficiency converters, offer outstanding performance at high-frequency operation, low profile, and low junction-to-heatsink thermal resistance. These modules are used in applications like high-reliability power systems, AC switches, high-efficiency AC/DC and DC/AC converters, and motor control.

Resultaten: 7
Selecteren Afbeelding Onderdeelnummer Fabrikant Omschrijving Gegevensblad Beschikbaarheid Prijsbepaling (EUR) De resultaten in de tabel met eenheidsprijs filteren op basis van uw hoeveelheid. Hvh. RoHS ECAD-model Product Configuratie Collector-emitterspanning VCEO max. Collector-emitterverzadigingsspanning Doorlopende voedingsverzamelaar op 25° Gate-emitterlekstroom Pd - Vermogensverlies Minimale bedrijfstemperatuur Maximale bedrijfstemperatuur
Microchip Technology IGBT-modules PM-IGBT-SBD-BL3 4In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

IGBT Modules Double Dual Common Source 1.2 kV 2.4 V 160 A 150 nA 470 W - 55 C + 175 C
Microchip Technology IGBT-modules PM-IGBT-SBD-BL3 9In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1
IGBT Modules Full Bridge 1.2 kV 2.4 V 160 A 150 nA 470 W - 55 C + 175 C
Microchip Technology IGBT-modules PM-IGBT-SBD-BL1 4In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1
IGBT Modules Dual Common Source 1.2 kV 2.4 V 110 A 150 nA 375 W - 55 C + 175 C
Microchip Technology IGBT-modules PM-IGBT-SBD-BL1 9In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1
IGBT Modules Half Bridge 1.2 kV 2.4 V 110 A 150 nA 375 W - 55 C + 175 C
Microchip Technology IGBT-modules PM-IGBT-SBD-BL2 7In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1
IGBT Modules Asymmetrical Bridge 1.2 kV 2.4 V 110 A 150 nA 375 W - 55 C + 175 C
Microchip Technology IGBT-modules PM-IGBT-SBD-BL2 6In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1
IGBT Modules Double Dual Common Source 1.2 kV 2.4 V 110 A 150 nA 375 W - 55 C + 175 C
Microchip Technology IGBT-modules PM-IGBT-SBD-BL2
3Verwacht 19-10-2026
Min.: 1
Veelv.: 1
IGBT Modules Full Bridge 1.2 kV 2.4 V 110 A 150 nA 375 W - 55 C + 175 C