NVH4L050N170M1 Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

onsemi NVH4L050N170M1 Silicon Carbide (SiC) MOSFETs deliver exceptional performance with a typical RDS(on) of 53mΩ at VGS = 20V. onsemi NVH4L050N170M1 MOSFETs are optimized for a 20V gate drive. The devices also function effectively with an 18V gate drive, featuring a negative gate voltage drive and reduced turn-off spikes. These devices offer ultra-low total gate charge (105nC), high-speed switching with low capacitance (Coss = 98pF), and 100% avalanche testing for reliability.

Geen resultaten gevonden.
Probeer uw zoekterm hieronder te wijzigen of neem contact op met ons Hulpcentrum.

Zoeksuggesties

  • Controleer de spelling van de onderdeelnummers of trefwoorden
  • Gebruik minder of andere trefwoorden
  • Zoek 1 onderdeelnummer tegelijk
  • Pas 1 filter tegelijk toe

Producten en fabrikanten

Hebt u nog vragen?