750V N-Channel SiC MOSFETs

ROHM Semiconductor 750V N-Channel SiC MOSFETs can boost switching frequency, thereby decreasing the volume of capacitors, reactors, and other components required. These SiC MOSFETs are available in TO-247N, TOLL, TO-263-7L, TO-263-7LA, and TO-247-4L packages. The devices have static drain-source on-state resistance [RDS(on)] (typ.) rating from 13mΩ to 65mΩ and continuous drain (ID) and source current (IS) (TC=25°C) of 22A to 120A. These ROHM Semiconductor 750V SiC MOSFETs offer high withstand voltages, low on-resistance, and high-speed switching characteristics, leveraging the unique attributes of SiC technology.

Resultaten: 23
Selecteren Afbeelding Onderdeelnummer
 Fabrikant
Omschrijving Gegevensblad Beschikbaarheid Prijsbepaling (EUR) De resultaten in de tabel met eenheidsprijs filteren op basis van uw hoeveelheid.
Hvh. RoHS ECAD-model Montagetype
Verpakking / doos
Polariteit transistor
Aantal kanalen
Vds - Doorslagspanning van druppelbron
Id - Continue afvoerstroom
Rds On - Druppelbronweerstand
Vgs - Poort-bronspanning
Vgs th - Drempelspanning van ingangsbron
Qg - Ingangsbelasting
Maximale bedrijfstemperatuur
Pd - Vermogensverlies
Kanaalmodus
Kwalificatie
ROHM Semiconductor SiC MOSFET's TO263 750V 51A N-CH SIC
Gegevensblad
2.008In voorraad
MouseReel beschikbaar
Min.: 1
Veelv.: 1
Spoel: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 51 A 26 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 94 nC + 175 C 150 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET's TO247 750V 56A N-CH SIC
Gegevensblad
635In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

Through Hole TO-247N-3 N-Channel 1 Channel 750 V 56 A 26 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 94 nC + 175 C 176 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET's TO247 750V 56A N-CH SIC
Gegevensblad
375In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 56 A 26 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 94 nC + 175 C 176 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET's TO247 750V 105A N-CH SIC
Gegevensblad
402In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 105 A 16.9 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 170 nC + 175 C 312 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET's TO263 750V 31A N-CH SIC
Gegevensblad
1.946In voorraad
MouseReel beschikbaar
Min.: 1
Veelv.: 1
Spoel: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 31 A 59 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 63 nC + 175 C 93 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET's TOLL 750V 120A SIC
Gegevensblad
1.000In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1
Spoel: 2.000
SMD/SMT TOLL-9 N Channel 1 Channel 750 V 120 A 4.8 V 170 nC + 175 V 405 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET's TOLL 750V 80A SIC
Gegevensblad
500In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1
Spoel: 2.000
SMD/SMT TOLL-9 N Channel 1 Channel 750 V 80 A 4.8 V 123 nC + 175 V 277 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET's Discrete Semiconductors, SiC Power Devices, 750V, 42A, 3-pin THD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET
Gegevensblad
450In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1
Through Hole TO-247N-3 N-Channel 1 Channel 750 V 42 A 47 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 72 nC + 175 C 136 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET's Discrete Semiconductors, SiC Power Devices, 750V, 42A, 4-pin THD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET
Gegevensblad
430In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1
Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 750 V 42 A 47 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 72 nC + 175 C 136 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET's 750V, 38A, 7-pin SMD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET for Automotive
Gegevensblad
700In voorraad
MouseReel beschikbaar
Min.: 1
Veelv.: 1
Spoel: 1.000
SMD/SMT TO-263-7LA N-Channel 1 Channel 750 V 38 A 47 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 72 nC + 175 C 115 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor SiC MOSFET's TOLL 750V 26A SIC
Gegevensblad
784In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1
Spoel: 2.000
SMD/SMT TOLL-9 N Channel 1 Channel 750 V 26 A 4.8 V 48 nC + 175 V 100 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET's TOLL 750V 61A SIC
Gegevensblad
100In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1
Spoel: 2.000
SMD/SMT TOLL-9 N Channel 1 Channel 750 V 61 A 4.8 V 94 nC + 175 V 214 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET's TO263 750V 51A N-CH SIC
Gegevensblad
1.460In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1
Max.: 100
Spoel: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 51 A 26 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 94 nC + 175 C 150 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET's TO263 750V 31A N-CH SIC
Gegevensblad
3.032In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1
Max.: 100
Spoel: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 31 A 45 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 63 nC + 175 C 93 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET's TO247 750V 105A N-CH SIC
Gegevensblad
615In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

Through Hole TO-247N-3 N-Channel 1 Channel 750 V 105 A 16.9 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 170 nC + 175 C 312 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET's TO263 750V 98A N-CH SIC
Gegevensblad
344In voorraad
MouseReel beschikbaar
Min.: 1
Veelv.: 1
Spoel: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 98 A 16.9 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 170 nC + 175 C 267 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET's TO247 750V 34A N-CH SIC
Gegevensblad
588In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

Through Hole TO-247N-3 N-Channel 1 Channel 750 V 34 A 59 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 63 nC + 175 C 115 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET's TO247 750V 34A N-CH SIC
Gegevensblad
321In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 34 A 59 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 63 nC + 175 C 115 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET's TOLL 750V 37A SIC
Gegevensblad
8In voorraad
2.000Verwacht 17-7-2026
MouseReel beschikbaar
Min.: 1
Veelv.: 1
Spoel: 2.000
SMD/SMT TOLL-9 N Channel 1 Channel 750 V 37 A 4.8 V 63 nC + 175 V 133 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET's TOLL 750V 46A SIC
Gegevensblad
2.000Verwacht 16-7-2026
Min.: 1
Veelv.: 1
Max.: 100
Spoel: 2.000

SMD/SMT TOLL-9 N Channel 1 Channel 750 V 46 A 4.8 V 72 nC + 175 V 164 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET's Discrete Semiconductors, SiC Power Devices, 750V, 25A, 3-pin THD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET
Gegevensblad
450Verwacht 14-5-2026
Min.: 1
Veelv.: 1
Through Hole TO-247N-3 N-Channel 1 Channel 750 V 25 A 85 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 48 nC + 175 C 88 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET's Discrete Semiconductors, SiC Power Devices, 750V, 25A, 4-pin THD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET
Gegevensblad
450Verwacht 14-5-2026
Min.: 1
Veelv.: 1
Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 750 V 25 A 85 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 48 nC + 175 C 88 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET's 750V, 45m, 4-pin THD, Trench-structure, Silicon-carbide(SiC) power MOSFET
Gegevensblad
1.000Verwacht 14-5-2026
MouseReel beschikbaar
Min.: 1
Veelv.: 1
Max.: 100
Spoel: 1.000
SMD/SMT TO-263-7LA N-Channel 1 Channel 750 V 22 A 85 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 48 nC + 175 C 71 W Enhancement