Het lijkt erop dat JavaScript in uw browser is uitgeschakeld. Tenzij u zich aanmeldt, zullen sommige functies op deze pagina niet werken.

Terug naar zoekresultaten

Ziet u een fout?

NTMFWS1D5N08XT1G

Name: onsemi NTMFWS1D5N08XT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFWS1D5N08XT1G
Price: 3.16 EUR
Availability: InStock

Afbeelding zijn alleen ter referentie
Zie productspecificaties

Mouser-nr.

863-NTMFWS1D5N08XT1G

Fabrikantnr:

NTMFWS1D5N08XT1G

Fabrikant:

onsemi

Omschrijving:

MOSFET's T10S 80V SG NCH MOSFET SO8FL HE WF

Gegevensblad:

NTMFWS1D5N08XT1G Gegevensblad

ECAD-model:

Download de gratis bibliotheeklader om dit bestand voor uw ECAD-hulpmiddel om te zetten. Meer informatie over het ECAD-model.

Meer informatie

Meer informatie over onsemi NTMFWS1D5N08XT1G

In voorraad: 14.461

Voorraad:: 14.461 Kan onmiddellijk worden verzonden

Er is een onverwachte fout opgetreden. Probeer het later nog eens.
Fabriekslevertijd:: 25 weken De geschatte productietijd in de fabriek voor meer dan de weergegeven hoeveelheden.

Voer het aantal in:

Minimum: 1 Veelvouden: 1

Eenheidsprijs:

€ -,--

Ext. Prijs:

€ -,--

Est. Tarief:

Prijsbepaling (EUR)

Hvh.	Eenheidsprijs	Ext. Prijs
	€ 3,16	€ 3,16
	€ 2,06	€ 20,60
	€ 1,56	€ 156,00
	€ 1,35	€ 675,00
	€ 1,16	€ 1.160,00
Op hele Spoel (Bestel in veelvouden van 1500)
	€ 1,06	€ 1.590,00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Productkenmerk	Kenmerkwaarde	Selecteer kenmerk
Fabrikant:	onsemi
Productcategorie:	MOSFET's
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montagetype:	SMD/SMT
Verpakking / doos:	SO8FL-8
Polariteit transistor:	N-Channel
Aantal kanalen:	1 Channel
Vds - Doorslagspanning van druppelbron:	80 V
Id - Continue afvoerstroom:	253 A
Rds On - Druppelbronweerstand:	1.43 mOhms
Vgs - Poort-bronspanning:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Drempelspanning van ingangsbron:	3.6 V
Qg - Ingangsbelasting:	83 nC
Minimale bedrijfstemperatuur:	- 55 C
Maximale bedrijfstemperatuur:	+ 175 C
Pd - Vermogensverlies:	194 W
Kanaalmodus:	Enhancement
Verpakken:	Reel
Verpakken:	Cut Tape
Merk:	onsemi
Configuratie:	Single
Daaltijd:	9 ns
Voorwaartse transconductantie - min:	176 S
Producttype:	MOSFETs
Stijgtijd:	9 ns
Reeks:	NTMFWS1D5N08X
Verpakkingshoeveelheid af fabriek:	1500
Subcategorie:	Transistors
Transistortype:	1 N-Channel
Typische uitschakelvertragingstijd:	43 ns
Typische inschakelvertragingstijd:	24 ns

Gevonden producten:

Vink tenminste één selectievakje aan om vergelijkbare producten te tonen

Vink tenminste één selectievakje aan om vergelijkbare producten in deze categorie te tonen.

Geselecteerde attributen: 0

Filter document:

Gegevensblad

NTMFWS1D5N08XT1G Gegevensblad

PCN

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

NTMFWS1D5N08X Single N-Channel MOSFET

onsemi NTMFWS1D5N08X Single N-Channel MOSFET incorporates a low Q_RR and soft recovery body diode, reducing switching losses. The NTMFWS1D5N08X device offers low R_DS(on) to minimize conduction losses, ensuring efficient operation. Additionally, its low Q_G and capacitance contribute to minimizing driver losses. onsemi NTMFWS1D5N08X Single N-Channel MOSFET is lead free, halogen free, BFR free, and RoHS compliant.

PowerTrench-technologie

onsemi PowerTrench Technology represents the advancement of PowerTrench technology, especially from T6 to T10, which signifies a breakthrough in power electronics. Developed by onsemi, PowerTrench MOSFETs offer enhanced efficiency and performance across various applications. The shift from T6/T8 to T10 significantly improves on-resistance and switching performance, which is crucial for energy-efficient designs.

Energy Storage Solutions

onsemi Energy Storage Systems (ESS) store electricity from various power sources, like coal, nuclear, wind, and solar, in different forms, including batteries (electrochemical), compressed air (mechanical), and molten salt (thermal). This solution focuses on battery energy storage systems connected to solar inverter systems.