FS50R12W2T7 & FS75R12W2T7 EasyPACK™ IGBT Modules

Infineon Technologies FS50R12W2T7 and FS75R12W2T7 EasyPACK™ IGBT Modules are 1200V three-phase input rectifier Insulated Gate Bipolar Transistor Modules. Based on TRENCHSTOP™ IGBT7 and Emitter Controlled 7 diode technology, these devices provide strongly reduced losses and are highly controllable. These modules are specially optimized for industrial drive applications, which means much lower static losses, higher power density, and softer switching. A significant increase in power density can be obtained with an operation overload temperature up to +175°C in the power module. 

Resultaten: 2
Selecteren Afbeelding Onderdeelnummer
 Fabrikant
Omschrijving Gegevensblad Beschikbaarheid Prijsbepaling (EUR) De resultaten in de tabel met eenheidsprijs filteren op basis van uw hoeveelheid.
Hvh. RoHS ECAD-model Product
Configuratie
Collector-emitterspanning VCEO max.
Collector-emitterverzadigingsspanning
Doorlopende voedingsverzamelaar op 25°
Gate-emitterlekstroom
Minimale bedrijfstemperatuur
Maximale bedrijfstemperatuur
Verpakken
Infineon Technologies IGBT-modules 1200 V, 50 A sixpack IGBT module
Gegevensblad
Levertijd 10 weken
Min.: 1
Veelv.: 1

IGBT Silicon Modules 6-Pack 1.2 kV 1.5 V 50 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT-modules 1200 V, 75 A sixpack IGBT module
Gegevensblad
Levertijd 10 weken
Min.: 1
Veelv.: 1

IGBT Silicon Modules 6-Pack 1.2 kV 1.55 V 65 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray