NVXK2VR80WxT2 Silicon Carbide (SiC) Modules

onsemi NVXK2VR80WxT2 Silicon Carbide (SiC) Modules are 1200V, 80mΩ 3-phase bridge power modules housed in a Dual Inline Package (DIP). These SiC modules are compactly designed to have low total module resistance. The NVXK2VR80WxT2 power modules are automotive-qualified per AEC-Q101 and AQG324. These power modules are lead-free and ROHS, UL94V-0 compliant. The NVXK2VR80WxT2 SiC modules' temperature sensing and the lowest thermal resistance make them ideal for PFC onboard chargers in xEV applications.

Resultaten: 2
Selecteren Afbeelding Onderdeelnummer
 Fabrikant
Omschrijving Gegevensblad Beschikbaarheid Prijsbepaling (EUR) De resultaten in de tabel met eenheidsprijs filteren op basis van uw hoeveelheid.
Hvh. RoHS ECAD-model Technologie
Montagetype
Verpakking / doos
Polariteit transistor
Aantal kanalen
Vds - Doorslagspanning van druppelbron
Id - Continue afvoerstroom
Rds On - Druppelbronweerstand
Vgs - Poort-bronspanning
Vgs th - Drempelspanning van ingangsbron
Minimale bedrijfstemperatuur
Maximale bedrijfstemperatuur
Pd - Vermogensverlies
Reeks
Verpakken
onsemi MOSFET-modules APM32 SIC POWER MODULE
Gegevensblad
60In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

SiC Through Hole APM-32 N-Channel 6 Channel 1.2 kV 20 A 116 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V - 55 C + 175 C 82 W NVXK2VR80WDT2 Tube
onsemi MOSFET-modules APM32 SIC POWER MODULE
Gegevensblad
44In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

SiC Through Hole APM-32 N-Channel 6 Channel 1.2 kV 31 A 116 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V - 55 C + 175 C 208 W NVXK2VR80WXT2 Tube