Het lijkt erop dat JavaScript in uw browser is uitgeschakeld. Tenzij u zich aanmeldt, zullen sommige functies op deze pagina niet werken.

Terug naar zoekresultaten

Ziet u een fout?

PMDXB550UNEZ

Name: Nexperia PMDXB550UNEZ
Brand: Nexperia
SKU: 771-PMDXB550UNEZ
Price: 0.45 EUR
Availability: OutOfStock

Afbeelding zijn alleen ter referentie
Zie productspecificaties

Mouser-nr.

771-PMDXB550UNEZ

Fabrikantnr:

PMDXB550UNEZ

Fabrikant:

Nexperia

Omschrijving:

MOSFET's SOT1216 2NCH 30V .59A

Gegevensblad:

PMDXB550UNEZ Gegevensblad (PDF)

ECAD-model:

Download de gratis bibliotheeklader om dit bestand voor uw ECAD-hulpmiddel om te zetten. Meer informatie over het ECAD-model.

Meer informatie

Meer informatie over Nexperia PMDXB550UNEZ

Beschikbaarheid

Voorraad:: 0

U kunt dit product nog steeds voor een nabestelling kopen.

Er is een onverwachte fout opgetreden. Probeer het later nog eens.
Besteld:: 140.000

Verwacht 8-2-2027
Fabriekslevertijd:: 8

weken De geschatte productietijd in de fabriek voor meer dan de weergegeven hoeveelheden.

Voor dit product wordt een lange levertijd vermeld.

Voer het aantal in:

Minimum: 1 Veelvouden: 1

Eenheidsprijs:

€ -,--

Ext. Prijs:

€ -,--

Est. Tarief:

Verpakking:

Op hele Spoel (Bestel in veelvouden van 5000)

Gesneden tape

MouseReel (+€ 5,00)

Prijsbepaling (EUR)

Hvh.	Eenheidsprijs	Ext. Prijs
Gesneden tape / MouseReel™ ^†
	€ 0,456	€ 0,46
	€ 0,277	€ 2,77
	€ 0,177	€ 17,70
	€ 0,132	€ 66,00
	€ 0,108	€ 108,00
	€ 0,107	€ 267,50
Op hele Spoel (Bestel in veelvouden van 5000)
	€ 0,093	€ 465,00
	€ 0,082	€ 820,00
	€ 0,081	€ 2.025,00

† € 5,00 MouseReel™-bewerkingskosten worden in uw winkelwagen toegevoegd en berekend. Het is niet mogelijk om MouseReel™-bestellingen te annuleren of te retourneren. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Productkenmerk	Kenmerkwaarde	Selecteer kenmerk
Fabrikant:	Nexperia
Productcategorie:	MOSFET's
RoHS:
Technologie:	Si
Montagetype:	SMD/SMT
Verpakking / doos:	DFN-1010-6
Polariteit transistor:	N-Channel
Aantal kanalen:	2 Channel
Vds - Doorslagspanning van druppelbron:	30 V
Id - Continue afvoerstroom:	590 mA
Rds On - Druppelbronweerstand:	670 mOhms
Vgs - Poort-bronspanning:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Drempelspanning van ingangsbron:	450 mV
Qg - Ingangsbelasting:	1.05 nC
Minimale bedrijfstemperatuur:	- 55 C
Maximale bedrijfstemperatuur:	+ 150 C
Pd - Vermogensverlies:	4.03 W
Kanaalmodus:	Enhancement
Verpakken:	Reel
Verpakken:	Cut Tape
Verpakken:	MouseReel
Merk:	Nexperia
Configuratie:	Dual
Land van assemblage:	Not Available
Land van diffusie:	Not Available
Land van oorsprong:	MY
Daaltijd:	3 ns
Voorwaartse transconductantie - min:	600 mS
Producttype:	MOSFETs
Stijgtijd:	7 ns
Verpakkingshoeveelheid af fabriek:	5000
Subcategorie:	Transistors
Transistortype:	2 N-Channel
Typische uitschakelvertragingstijd:	12 ns
Typische inschakelvertragingstijd:	4 ns
Onderdeelnr. Aliassen:	934069326147
Gewicht per stuk:	1,290 mg

Gevonden producten:

Vink tenminste één selectievakje aan om vergelijkbare producten te tonen

Vink tenminste één selectievakje aan om vergelijkbare producten in deze categorie te tonen.

Geselecteerde attributen: 0

Filter document:

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

PMDXB550UNE Dual N-Channel MOSFET

Nexperia PMDXB550UNE Dual N-Channel MOSFET is a surface mount device that offers a low threshold voltage. This 30V enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) features exposed drain pad for an excellent thermal conduction and ESD protection. Typical applications include relay driver, high-speed line driver, low-side load switch, and switching circuits. The PMDXB550UNE MOSFET is designed using Trench MOSFET technology and is available in a leadless ultra-small DFN1010B-6 (SOT1216) plastic package.

PMDXBx 20V Trench MOSFETs

Nexperia PMDXBx 20V Trench MOSFETs consist of enhancement mode field-effect transistors (FET) in leadless, ultra-small DFN1010B-6 (SOT1216) Surface-Mounted Device (SMD) plastic packages. The devices employ Trench MOSFET technology, have an exposed drain pad for excellent thermal conduction, provide >1kV HBM ESD protection, and offer 470mΩ drain-source on-state resistance. The PMDXBx MOSFETs are available in dual N- and P-channel versions. The Nexperia PMDXBx 20V Trench MOSFETs are ideal for relay drivers, high-speed line drivers, low-side load switches, and switching circuits.