CoolSIC SiC MOSFET's

Resultaten: 5
Selecteren Afbeelding Onderdeelnummer
 Fabrikant
Omschrijving Gegevensblad Beschikbaarheid Prijsbepaling (EUR) De resultaten in de tabel met eenheidsprijs filteren op basis van uw hoeveelheid.
Hvh. RoHS ECAD-model Montagetype
Verpakking / doos
Polariteit transistor
Aantal kanalen
Vds - Doorslagspanning van druppelbron
Id - Continue afvoerstroom
Rds On - Druppelbronweerstand
Vgs - Poort-bronspanning
Vgs th - Drempelspanning van ingangsbron
Qg - Ingangsbelasting
Minimale bedrijfstemperatuur
Maximale bedrijfstemperatuur
Pd - Vermogensverlies
Kanaalmodus
Handelsnaam
Infineon Technologies SiC MOSFET's CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package
Gegevensblad
909In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 2 kV 123 A 16.5 mOhms - 10 V, + 23 V 3.5 V 246 nC - 55 C + 150 C 552 W Enhancement CoolSIC
Infineon Technologies SiC MOSFET's CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package
Gegevensblad
599In voorraad
960Verwacht 2-3-2026
Min.: 1
Veelv.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 2 kV 89 A 33 mOhms - 10 V, + 23 V 3.5 V 137 nC - 55 C + 150 C 576 W Enhancement CoolSIC
Infineon Technologies SiC MOSFET's CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package
Gegevensblad
128In voorraad
480Verwacht 10-12-2026
Min.: 1
Veelv.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 2 kV 34 A 98 mOhms - 10 V, + 23 V 3.5 V 64 nC - 55 C + 150 C 267 W Enhancement CoolSIC
Infineon Technologies SiC MOSFET's CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package
Gegevensblad
10In voorraad
1.440Besteld
Min.: 1
Veelv.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 2 kV 48 A 64 mOhms - 10 V, + 23 V 3.5 V 82 nC - 55 C + 150 C 348 W Enhancement CoolSIC
Infineon Technologies SiC MOSFET's CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package
Gegevensblad
4.353Verwacht 2-7-2026
Min.: 1
Veelv.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 2 kV 26 A 131 mOhms - 10 V, + 23 V 3.5 V 55 nC - 55 C + 150 C 217 W Enhancement CoolSIC