Pseudo SRAM/CellularRAM

ISSI Pseudo SRAM/CellularRAM Devices offer the best of both DRAM and SRAM features. ISSI PSRAM/CellularRAM has an SRAM-like architecture. Unlike DRAM, there is a hidden re-fresh feature that does not require a physical refresh. These CellularRAM devices are designed in accordance with the CellularRAM standards and are available in CRAM 1.5 and CRAM 2.0.

Soorten Halfgeleiders

Categorieweergave wijzigen
Resultaten: 51
Selecteren Afbeelding Onderdeelnummer Fabrikant Omschrijving Gegevensblad Beschikbaarheid Prijsbepaling (EUR) De resultaten in de tabel met eenheidsprijs filteren op basis van uw hoeveelheid. Hvh. RoHS
ISSI DRAM 32Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS 88In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1
Max.: 1

ISSI DRAM 64Mb, QUADRAM, 2.7V-3.6V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 419In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1
Max.: 7

ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS 4.274In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1
Max.: 1.465
Spoel: 2.500


ISSI SRAM 8Mb,Pseudo SRAM,Async,512K x 16,70ns,2.5v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS 1.611In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1
Max.: 2
Spoel: 1.000

ISSI SRAM 16Mb 70ns 2.5v-3.6v 1M x 16 Pseudo SRAM 539In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1
Max.: 5

ISSI SRAM Pseudo SRAM 64Mb 2.170In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1
Max.: 127

ISSI SRAM 64Mb Pseudo SRAM 4Mx16 70ns A-Temp 273In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1
Max.: 12

ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 1.7V-1.95V, VDDQ 1.7V-1.95V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS 310In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1
Max.: 200

ISSI IS66WVC2M16ECLL-7010BLI
ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5, 2M x 16,70ns,1.7v-1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS 480In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1
Max.: 200

ISSI IS66WV51216EBLL-55TLI
ISSI SRAM 8Mb Pseudo SRAM Async 512Kx16 55ns 1.733In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1
Max.: 28

ISSI IS66WVE4M16EALL-70BLI
ISSI SRAM 64Mb Pseudo SRAM Asynch/Pg 4Mx16 55ns 867In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1
Max.: 6

ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS 308In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1
Max.: 16

ISSI DRAM 64Mb, OctalRAM, 8Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 885In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1
Max.: 37

ISSI DRAM 64Mb, HyperRAM, 8Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 656In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1
Max.: 121

ISSI DRAM 64Mb, OctalRAM, 8Mbx8, 3.0V, 166MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 1.887In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1
Max.: 200

ISSI DRAM 64Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 2.7V-3.6V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS 817In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1
Max.: 353

ISSI DRAM 32Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 2.7V-3.6V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS 174In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1
Max.: 13

ISSI DRAM 64Mb, HyperRAM, 8Mbx8, 3.0V, 166MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 455In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1
Max.: 32

ISSI DRAM 64Mb, QUADRAM, 1.65V-1.95V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 450In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1
Max.: 200

ISSI DRAM 64Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS 148In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1
Max.: 24

ISSI DRAM 32Mb, SerialRAM, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS 159In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1
Max.: 15

ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS 4.821In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1
Max.: 491
Spoel: 2.500

ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS 959In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1
Max.: 1

ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS 1.601In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1
Max.: 719

ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS 3.104In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1
Max.: 38
Spoel: 2.500