CoolSiC™ 650V G2 MOSFET’s

Infineon Technologies   CoolSiC™ 650V G2 MOSFET’s maken gebruik van de prestatiemogelijkheden van siliciumcarbide door minder energieverlies mogelijk te maken, wat zich vertaalt in een hogere efficiëntie tijdens stroomomzetting.De CoolSiC 650 V G2 MOSFET’s van Infineon  bieden voordelen voor semiconductortoepassingen met verschillende vermogens zoals bijvoorbeeld fotovoltaïsche toepassingen, energieopslag, DC EV-opladen, motoraandrijvingen en industriële voedingen. Een DC-sneloplaadstation voor elektrische voertuigen met CoolSiC G2 zorgt voor tot 10% minder stroomverlies dan vorige generaties, en maakt tegelijk een hogere laadcapaciteit mogelijk, zonder dat er iets aan de vorm en de grootte hoeft te veranderen.

Resultaten: 53
Selecteren Afbeelding Onderdeelnummer
 Fabrikant
Omschrijving Gegevensblad Beschikbaarheid Prijsbepaling (EUR) De resultaten in de tabel met eenheidsprijs filteren op basis van uw hoeveelheid.
Hvh. RoHS ECAD-model Montagetype
Verpakking / doos
Aantal kanalen
Vds - Doorslagspanning van druppelbron
Id - Continue afvoerstroom
Rds On - Druppelbronweerstand
Vgs - Poort-bronspanning
Vgs th - Drempelspanning van ingangsbron
Qg - Ingangsbelasting
Minimale bedrijfstemperatuur
Maximale bedrijfstemperatuur
Pd - Vermogensverlies
Kanaalmodus
Handelsnaam
Infineon Technologies SiC MOSFET's SILICON CARBIDE MOSFET
Gegevensblad
1.900In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1
: 2.000

SMD/SMT HSOF-8 1 Channel 650 V 24 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 57 nC - 55 C + 175 C 440 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET's CoolSiC MOSFET 650 V, 33 mohm G2
Gegevensblad
3.494In voorraad
240Verwacht 5-11-2026
Min.: 1
Veelv.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 53 A 41 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 194 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET's CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?
Gegevensblad
256In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1
: 1.000

SMD/SMT 1 Channel 650 V 158 A 13.1 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 112 nC - 55 C + 175 C 535 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET's CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?
Gegevensblad
738In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1
: 1.000

SMD/SMT 1 Channel 650 V 68 A 33 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 42 nC - 55 C + 175 C 263 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET's CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?
Gegevensblad
280In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1
: 1.000

SMD/SMT 1 Channel 650 V 58 A 41 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 227 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET's CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?
Gegevensblad
416In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1
: 1.000

SMD/SMT 1 Channel 650 V 34.9 A 73 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 18 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET's SILICON CARBIDE MOSFET
Gegevensblad
788In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 650 V 28 A 95 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 14.9 nC + 175 C 124 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET's SILICON CARBIDE MOSFET
Gegevensblad
901In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1
: 750

SMD/SMT HDSOP-22 1 Channel 650 V 94 A 18 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 79 nC - 55 C + 175 C 499 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET's SILICON CARBIDE MOSFET
Gegevensblad
489In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1
: 750

SMD/SMT HDSOP-22 1 Channel 650 V 97 A 24 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 57 nC - 55 C + 175 C 394 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET's Leverages switching performance while enabling the benefits of top-side cooling
Gegevensblad
738In voorraad
3.600Verwacht 5-11-2026
Min.: 1
Veelv.: 1
: 1.800

SMD/SMT 1 Channel 650 V 82 A 33 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 42 nC - 55 C + 175 C 365 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET's Leverages switching performance while enabling the benefits of top-side cooling
Gegevensblad
909In voorraad
1.800Verwacht 7-1-2027
MouseReel beschikbaar
Min.: 1
Veelv.: 1
: 1.800

SMD/SMT 1 Channel 650 V 68 A 41 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 312 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET's SILICON CARBIDE MOSFET
Gegevensblad
814In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1
: 1.800

SMD/SMT HDSOP-16 1 Channel 650 V 34.7 A 95 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 14.9 nC - 55 C + 175 C 187 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET's SILICON CARBIDE MOSFET
Gegevensblad
1.779In voorraad
2.000Verwacht 22-7-2027
Min.: 1
Veelv.: 1
: 2.000

SMD/SMT HSOF-8 1 Channel 650 V 68 A 41 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 312 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET's SILICON CARBIDE MOSFET
Gegevensblad
2.858In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1
: 2.000

SMD/SMT HSOF-8 1 Channel 650 V 41.4 A 73 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 19 nC - 55 C + 175 C 208 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET's SILICON CARBIDE MOSFET
Gegevensblad
901In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1
: 2.000

TOLL-8 650 V 75 mOhms
Infineon Technologies SiC MOSFET's CoolSiC MOSFET 750 V G2
Gegevensblad
1.958In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1
: 2.000

SMD/SMT PG-LHSOF-4 650 V 79 A 33 mOhms - 7 V to + 23 V 5.6 V 42 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET's CoolSiC MOSFET 650 V G2
Gegevensblad
1.658In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1
: 2.000

SMD/SMT PG-LHSOF-4 650 V 68 A 41 mOhms - 7 V to + 23 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 315 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET's SILICON CARBIDE MOSFET
Gegevensblad
2.085In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1
: 2.000

SMD/SMT LHSOF-4 1 Channel 650 V 30 A 95 mOhms 5.6 V 14.9 nC - 55 C + 175 C 141 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET's CoolSiC MOSFET 650 V, 10 mohm G2
Gegevensblad
221In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 130 A 13.1 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 112 nC - 55 C + 175 C 440 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET's CoolSiC MOSFET 650 V, 26 mohm G2
Gegevensblad
528In voorraad
240Verwacht 16-9-2026
Min.: 1
Veelv.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 64 A 33 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 42 nC - 55 C + 175 C 227 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET's SILICON CARBIDE MOSFET
Gegevensblad
486In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 26.6 A 95 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 14.9 nC - 55 C + 175 C 111 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET's SILICON CARBIDE MOSFET
Gegevensblad
10.334In voorraad
MouseReel beschikbaar
Min.: 1
Veelv.: 1
: 2.000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 20 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET's SILICON CARBIDE MOSFET
Gegevensblad
682In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 210 A 8.5 mOhms - 18 V, + 18 V 5.6 V 439 nC - 55 C + 175 C 625 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET's SILICON CARBIDE MOSFET
Gegevensblad
9In voorraad
3.000Besteld
MouseReel beschikbaar
Min.: 1
Veelv.: 1
: 750

SMD/SMT HDSOP-22 1 Channel 650 V 154 A 13.1 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 113 nC - 55 C + 175 C 651 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET's SILICON CARBIDE MOSFET
Gegevensblad
10In voorraad
2.000Verwacht 12-8-2027
Min.: 1
Veelv.: 1
: 2.000

SMD/SMT HSOF-8 1 Channel 650 V 168 A 13.1 mOhms - 7V, + 23 V 4.5 V 113 nC - 55 C + 175 C 681 W Enhancement CoolSiC